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2SCR586D3TL1相关型号
ROHM热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 2SCR586D3TL1

  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 批号：最新
  • 描述：POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，2SCR586D3TL1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）5A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）80V
  • 不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）300mV @ 100mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）1µA（ICBO）
  • 不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）120 @ 500mA，3V
  • 功率 - 最大值10W
  • 频率 - 跃迁200MHz
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 供应商器件封装TO-252

其它信息

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